Производители чипсетов с каждым годом осваивают все более мелкий техпроцесс, и чем меньше им удается сделать процессоры, тем ближе они подбираются к физическому ограничению. Фундаментальная физика диктует, что поведение проводки станет непредсказуемой, если участвующих атомов будет недостаточно. В будущем, с такой проблемой можно будет столкнуться и в других сферах, например, в флеш-памяти, когда места для электронов будет банально не хватать. Однако эту проблему в скором времени удастся решить.
Международная группа исследователей сообщает, что им удалось создать комбинацию из двух молекул, которые способны удерживать достаточное количество электронов для использования их в качестве флеш-памяти. Новизна подхода заключается в том, что ученые не стали пытаться построить структуру слоев из нескольких простых молекул, а использовали сложную молекулярную клетку в один слой.
Клетка была образована из оксида металла, а конкретно выбор пал на вольфрам. Молекула образует клетко-подобную структуру с толщиной приблизительно 1 нанометр, внутри которой содержатся более простые элементы, взаимодействующие между собой. Поведение составных частей молекулы позволяет в ней хранить электроны. Сами молекулы, по заявлению авторов, являются стабильными при температурах до 600 градусов по Цельсию, то есть область применения у этого открытия достаточно широкая.
c 11:00 до 19:00 пн-пт
